 Национальный
Научный Фонд (The National Science Foundation, NSF) США, который
поддерживает фундаментальные исследования в области естественных наук,
представил информацию на сайте «Live Science» о новых разработках и
открытия, касающихся поиска альтернативы кремнию. В частности, в
качестве замены кремнию предлагается материал «InGaAs», который
является полупроводником и состоит из индия, галлия и
мышьяка.
Использование нового материала, как показали
исследования, позволит
изготавливать более мелкие транзисторы, чем допускает кремниевая
технология. В том числе, становится возможным изготовление совершенно
нового типа транзистора, который уже может быть назван «4-D
транзистором», что является крупным шагом для полупроводниковой
промышленности. Исследователи Гарвардского университета и
университета Пердью (США) показали, что можно улучшить
производительность устройства,
если связать вертикально 3-D транзисторы в параллель. «Вы можете
поселить много людей в одноэтажном доме, но, понятно, что чем больше у
вас будет этажей, тем больше сможете расселить
жильцов. Нечто подобное мы наблюдаем при создании
сложных транзисторных схем»,
— сказал Пейд Питер Йе (Peide "Peter” Ye), профессор электротехники и
вычислительной техники в Пердью. «Результирующий эффект от совместной
работы такой совокупности транзисторов на столько увеличивает скорость
вычислений, что это подобно появлению нового измерения, поэтому я и
назвал их 4-D транзисторами», — пояснил
ученый.
|
